Samsung beginnt mit Massenproduktion von eUFS 3.0 Speicher
Kurz nach der Ankündigung der neuen Samsung Galaxy S10-Serie machte das Unternehmen mit einer weiteren großen Ankündigung weiter. Gemeint ist der erste 512 GB eUFS 3.0 Speicher mit großen Leistungssteigerungen gegenüber der Vorgängergeneration.
Die neuen 512GB eUFS 3.0 Speicherchips sind bereits in die Massenproduktion gegangen. Sie übertreffen die eUFS 2.1 Chips der Vorgängergeneration um das Doppelte. Der Executive Vice President of Memory Sales and Marketing bei Samsung Electronics ging noch weiter und sagte, dass der neue Standard endlich die heutigen ultraflachen Laptops in Bezug auf die Speicherleistung einholt.
Der 512 GB eUFS 3.0 Speicher stapelt acht der 5. Generation 512-Gigabit-V-NAND-Chips und nutzt gleichzeitig die Vorteile eines neuen Hochleistungs-Controllers. Sie kann bis zu 2.100 MB/s Lesegeschwindigkeit erreichen, was doppelt so schnell ist wie aktuelle eUFS 2.1-Chips. Tatsächlich ist die Lesegeschwindigkeit etwa viermal so hoch wie bei herkömmlichen SSDs, die auf der SATA-Schnittstelle laufen. Die Schreibgeschwindigkeit sollte bei ca. 410 MB/s liegen – im gleichen Bereich wie bei SATA-SSDs.
Die IOPS haben auch einige Rekorde erzielt – 63.000 random read IOPS und 68.000 random write IOPS. Zum Vergleich: Das ist etwa 630 mal schneller als microSD-Karten.
Zusätzlich zu den 512 GB Chips produziert Samsung nun auch 128 GB Chips und plant, die Herstellung in 256 GB und 1 TB Speichern irgendwann in der zweiten Jahreshälfte aufzunehmen.
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