Samsung Electronics stellt am 25. Juli die ersten 3-nm-Chips der Welt vor
Samsung Electronics hat am 30. Juni mit der Massenproduktion von 3-nm-Chips begonnen. Das Unternehmen hat nun für den 25. Juli eine Event geplant, bei der man die 3-nm-Chips vorstellen wird.
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Diese 3nm-Chips basieren auf der Gate-All-Around (GAA)-Transistorarchitektur und sollen einen Monat nach Beginn der Massenproduktion im Juni der Weltöffentlichkeit vorgestellt werden. Die erste Charge der Chips soll an einen chinesischen Miner für Kryptowährungen geliefert werden.
Das Event soll am 25. Juli im Hwaseong-Chipfertigungszentrum in der Provinz Gyeonggi stattfinden. Samsung will bis 2023 mit der Produktion von 3-nm-Chips der zweiten Generation und bis 2025 mit der Produktion von 2-nm-Chips beginnen.
TSMC hingegen plant die Aufnahme der 3-nm-Chipproduktion auf FinFET-Basis entweder noch in diesem Monat oder im August. Mit der Herstellung von Chips, die auf der GAA-Technologie basieren, könnte TSMC im Jahr 2025 beginnen. Samsung’s 3-nm-Technologie ist weiter fortgeschritten als die FinFET-Technologie von TSMC.
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Pulse
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