Samsung plant 144 MP Kamera-Sensor im 14-nm-Verfahren
Laut einem Tweet des bekannten Leakers @UniverseIce plant Samsung zufolge die Herstellung eines 144 MP-Kamerasensors mit dem 14nm-FinFET-Verfahren.
Samsung soll das 14-nm-Verfahren dazu nutzen, um einen Sensor mit einer Dichte von mehr als 100 Millionen Pixeln zu entwickeln. Ergänzt wird der Prozess durch die FinFET-Technologie, die auch dazu beiträgt, den Stromverbrauch des Sensors zu reduzieren.
Leider sind genauere Details über den kommenden Sensor noch ungewiss und Samsung hat noch keine offizielle Ankündigung dazu gemacht.
Allerdings hat Samsung letzte Woche auf dem IEDM (International Electron Devices Meeting) den 14nm FinFET-Prozess vorgestellt, der für Bildgebungsanwendungen optimiert ist.
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