Samsung stellt neuen LLW-DRAM für mobile KI und Gaming vor
Samsung Semiconductor hat heute einen neuen DRAM-Typ vorgestellt, der sich nach Angaben des Unternehmens ideal für mobile KI- und Gaming-Anwendungen eignet. Die Bezeichnung LLW DRAM steht für Low Latency Wide IO.
LLW-DRAM bietet eine geringere Latenz als herkömmlicher DRAM und ist damit ideal für KI-Anwendungen, die auf Echtzeit-Reaktionen angewiesen sind. Darüber hinaus bietet er eine höhere Bandbreite als herkömmlicher DRAM, was ihn ideal für Spieleanwendungen mit hohem Datenaufkommen macht.
Samsung hatte bereits im Januar dieses Jahres angekündigt, an LLW-DRAM zu arbeiten. Im Oktober wurde LLW DRAM dann auf dem Memory Tech Day kurz vorgestellt.
In einem Video, das Samsung heute auf Twitter veröffentlicht hat, wird LLW DRAM vorgestellt. Das Video zeigt, dass LLW DRAM normalerweise direkt neben der CPU auf einem SoC platziert wird. Dies ist sinnvoll, da LLW DRAM eine niedrige Latenz bietet und die CPU so schnell wie möglich mit Daten versorgt werden muss.
Interessanterweise deutet das Video jedoch darauf hin, dass LLW DRAM herkömmliches DRAM nicht vollständig ersetzen soll. Stattdessen sollen LLW DRAM und herkömmlicher DRAM zusammenarbeiten, um die Leistung zu verbessern.
Wann LLW DRAM in den Chipsätzen von Samsung eingesetzt wird, ist noch nicht bekannt. Es ist jedoch möglich, dass die Galaxy S24-Serie das erste Smartphone mit dieser Technologie sein wird.
Samsung bereitet bereits neue KI-Funktionen für sein nächstes Flaggschiff vor, darunter AI Live Translate Call. Angeblich wird das Unternehmen das S24 als „KI-Telefon“ vorstellen. Alles in allem ist es also durchaus möglich, dass das Galaxy S24 auch als Startrampe für LLW DRAM dienen wird.
Samsung wird das Galaxy S24 voraussichtlich am 17. Januar in San Jose vorstellen.
Quelle(n):
X/Twitter @SamsungDSGlobal
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